NTB45N06L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTB45N06L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 341 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 352 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NTB45N06L
NTB45N06L Datasheet (PDF)
ntb45n06lg ntp45n06l ntp45n06l ntb45n06l.pdf

NTP45N06L, NTB45N06LPower MOSFET45 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel TO-220 andD2PAKhttp://onsemi.comDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridge45 AMPERES, 60 VOLTScircuits.RDS(on) = 28 mWFeaturesN-Channel Higher Current RatingD Lower RDS(on) Lower VDS(on) Lower Capa
ntp45n06l ntb45n06l.pdf

NTP45N06L, NTB45N06LPower MOSFET45 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel TO-220 andD2PAKhttp://onsemi.comDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridge45 AMPERES, 60 VOLTScircuits.RDS(on) = 28 mWFeaturesN-Channel Higher Current RatingD Lower RDS(on) Lower VDS(on) Lower Capa
ntb45n06lg.pdf

NTB45N06LGwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Max)Definition Surface Mount0.023 at VGS = 10 V 5060 66 nC Available in Tape and Reel 0.027 at VGS = 4.5 V40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS D
ntb45n06g ntp45n06 ntp45n06 ntb45n06.pdf

NTP45N06, NTB45N06Power MOSFET45 Amps, 60 VoltsN-Channel TO-220 and D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeatures Higher Current Rating45 AMPERES, 60 VOLTS Lower RDS(on)RDS(on) = 26 mW Lower VDS(on) Lower CapacitancesN-Channel Lower
Другие MOSFET... FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N , NTB25P06 , NTB35N15 , NTB45N06 , IRF9540 , NTB5404N , NTB5405N , NTB5426N , NTB5605P , NTB60N06 , NTB6410AN , NTB6411AN , NTB6412AN .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710