NTB5404N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTB5404N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 167 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 136 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 125 nC
Время нарастания (tr): 65 ns
Выходная емкость (Cd): 1075 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
NTB5404N Datasheet (PDF)
ntb5404n ntp5404n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTB5404N, NTP5404NPower MOSFET40 V, 136 A, Single N-Channel, D2PAK &TO-220Features Low RDS(on) http://onsemi.com High Current CapabilityID MAX Low Gate ChargeV(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) This is a Pb-Free Device40 V 3.5 mW @ 10 V 136 AApplicationsD Electronic Brake Systems Electronic Power SteeringN-Channel Bridge CircuitsGMAXIMUM RATI
ntb5404nt4g ntp5404nrg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTB5404N, NTP5404N,NVB5404NPower MOSFET40 V, 167 A, Single N-Channel, D2PAK &TO-220Features Low RDS(on)http://onsemi.com High Current CapabilityID MAX Low Gate ChargeV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB5404N40 V 4.5 mW @ 10 V 167 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplicationsD Electronic Brake
ntb5405ng.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTB5405N, NVB5405NPower MOSFET40 V, 116 A, Single N-Channel, D2PAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Low Gate Charge AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB5405NID MAXV(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant40 V 4.9 m @ 10 V 116 AApplications Electronic Brake SystemsN-Channel
ntb5405n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTB5405NPower MOSFET40 V, 116 A, Single N-Channel, D2PAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Low Gate Charge These are Pb-Free DevicesID MAXApplicationsV(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) Electronic Brake Systems40 V 4.9 m @ 10 V 116 A Electronic Power Steering Bridge CircuitsN-ChannelMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![NTB5404N](https://alltransistors.com/images/us.png)
![NTB5404N](https://alltransistors.com/images/es.png)
![NTB5404N](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C