Справочник MOSFET. NTB5404N

 

NTB5404N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB5404N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 136 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1075 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB5404N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  onsemi
ntb5404n ntp5404n.pdfpdf_icon

NTB5404N

NTB5404N, NTP5404NPower MOSFET40 V, 136 A, Single N-Channel, D2PAK &TO-220Features Low RDS(on) http://onsemi.com High Current CapabilityID MAX Low Gate ChargeV(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) This is a Pb-Free Device40 V 3.5 mW @ 10 V 136 AApplicationsD Electronic Brake Systems Electronic Power SteeringN-Channel Bridge CircuitsGMAXIMUM RATI

 0.1. Size:117K  onsemi
ntb5404nt4g ntp5404nrg.pdfpdf_icon

NTB5404N

NTB5404N, NTP5404N,NVB5404NPower MOSFET40 V, 167 A, Single N-Channel, D2PAK &TO-220Features Low RDS(on)http://onsemi.com High Current CapabilityID MAX Low Gate ChargeV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB5404N40 V 4.5 mW @ 10 V 167 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplicationsD Electronic Brake

 8.1. Size:111K  onsemi
ntb5405ng.pdfpdf_icon

NTB5404N

NTB5405N, NVB5405NPower MOSFET40 V, 116 A, Single N-Channel, D2PAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Low Gate Charge AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB5405NID MAXV(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant40 V 4.9 m @ 10 V 116 AApplications Electronic Brake SystemsN-Channel

 8.2. Size:122K  onsemi
ntb5405n.pdfpdf_icon

NTB5404N

NTB5405NPower MOSFET40 V, 116 A, Single N-Channel, D2PAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Low Gate Charge These are Pb-Free DevicesID MAXApplicationsV(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) Electronic Brake Systems40 V 4.9 m @ 10 V 116 A Electronic Power Steering Bridge CircuitsN-ChannelMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless

Другие MOSFET... NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N , NTB25P06 , NTB35N15 , NTB45N06 , NTB45N06L , IRFB4115 , NTB5405N , NTB5426N , NTB5605P , NTB60N06 , NTB6410AN , NTB6411AN , NTB6412AN , NTB6413AN .

History: QS8K13 | BSS214NW | TK3A60DA | HGD750N15M | APL602J | HAF1002

 

 
Back to Top

 


 
.