NTD4813NH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTD4813NH
Маркировка: 4813NH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.1 nC
Время нарастания (tr): 19.5 ns
Выходная емкость (Cd): 201 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm
Тип корпуса: DPAK
NTD4813NH Datasheet (PDF)
ntd4813nh-1g.pdf
NTD4813NH, NVD4813NHPower MOSFET30 V, 40 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Low RGV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVD4813NH These Devices are Pb-Free and are RoHS Comp
ntd4813nh-d.pdf
NTD4813NHPower MOSFET30 V, 40 A, Single N--Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Low RGV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb--Free Devices13 m @10VApplications30 V40 A25.9 m @4.5 V CPU Power Delivery
ntd4813n-1g ntd4813n-d.pdf
NTD4813NPower MOSFET30 V, 40 A, Single N--Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb--Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications13 m @10V CPU Power Delivery30 V40 A24 m @4.5 V DC--DC Co
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
