NTD4909N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTD4909N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 487 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NTD4909N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTD4909N даташит
ntd4909n-1g ntd4909n.pdf
NTD4909N Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 8.0 mW @ 10 V CPU Power Delivery 30 V 41 A 12 mW @ 4.5 V DC-DC Conv
ntd4909n.pdf
NTD4909N MOSFET Power, Single, N-Channel, DPAK/IPAK 30 V, 41 A Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices 8.0 mW @ 10 V 30 V 41 A 12 mW @ 4.5 V Applications CPU Power Delivery D DC-
ntd4904n.pdf
NTD4904N Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 3.7 mW @ 10 V 30 V 79 A 5.5 mW @ 4.5 V CPU Power Delivery DC-DC Conv
ntd4906n.pdf
NTD4906N Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 5.5 mW @ 10 V CPU Power Delivery 30 V 54 A 8.0 mW @ 4.5 V DC-DC Con
Другие MOSFET... NTD4856N , NTD4857N , NTD4858N , NTD4860N , NTD4863N , NTD4865N , NTD4904N , NTD4906N , AO3407 , NTD4910N , NTD4913N , NTD4960N , NTD4963N , NTD4965N , NTD4969N , NTD4970N , NTD5406N .
History: S10H18RP | CS2N70A3R1-G
History: S10H18RP | CS2N70A3R1-G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193





