Справочник MOSFET. NTD4913N

 

NTD4913N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD4913N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD4913N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD4913N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  onsemi
ntd4913n.pdfpdf_icon

NTD4913N

NTD4913NPower MOSFET30 V, 32 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications10.5 mW @ 10 V CPU Power Delivery30 V 32 A15 mW @ 4.5 V DC-DC Con

 8.1. Size:138K  onsemi
ntd4910n-1g.pdfpdf_icon

NTD4913N

NTD4910NPower MOSFET30 V, 37 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications9.0 mW @ 10 V CPU Power Delivery30 V 37 A13 mW @ 4.5 V DC-DC Conv

 8.2. Size:108K  onsemi
ntd4910n.pdfpdf_icon

NTD4913N

NTD4910NPower MOSFET30 V, 37 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications9.0 mW @ 10 V CPU Power Delivery30 V 37 A13 mW @ 4.5 V DC-DC Conv

 9.1. Size:123K  1
ntd4963ng.pdfpdf_icon

NTD4913N

NTD4963NPower MOSFET30 V, 44 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Three Package Variations for Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS9.6

Другие MOSFET... NTD4858N , NTD4860N , NTD4863N , NTD4865N , NTD4904N , NTD4906N , NTD4909N , NTD4910N , K2611 , NTD4960N , NTD4963N , NTD4965N , NTD4969N , NTD4970N , NTD5406N , NTD5407N , NTD5413N .

History: SI3853DV | BSC750N10NDG | IRF620FI | STF17NF25 | IRF9533 | BUZ905P | SSM3K124TU

 

 
Back to Top

 


 
.