NTD5865NL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTD5865NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NTD5865NL
NTD5865NL Datasheet (PDF)
ntd5865nl.pdf

NTD5865NLN--Channel Power MOSFET60 V, 40 A, 16 mFeatures Low Gate Charge Fast Switchinghttp://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb--Free, Halogen Free and are RoHS Compliant16 m @10VMAXIMUM RATINGS (TJ =25C unless otherwise noted) 60 V 40 A19 m @4.5 VParameter Symbol Value Uni
ntd5865nl-1g.pdf

NTD5865NL-1Gwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 55 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 47TO-251DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Sy
ntd5865nlt4g.pdf

NTD5865NLT4Gwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim
ntd5865n-1g.pdf

NTD5865NN-Channel Power MOSFET60 V, 38 A, 18 mWFeatures Low Gate Charge Fast Switchinghttp://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant60 V 18 mW @ 10 V 38 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDDrain-to-Sou
Другие MOSFET... NTD5802N , NTD5803N , NTD5804N , NTD5805N , NTD5806N , NTD5807N , NTD5862N , NTD5865N , AON7403 , NTD5867NL , NTD6414AN , NTD6415AN , NTD6415ANL , NTD6416AN , NTD6416ANL , NTD70N03R , NTE4151P .
History: FQP6N60C | 2N6768JAN | 2N6781 | AO4312 | FDP18N20F | BS107A | MDI4N60BTH
History: FQP6N60C | 2N6768JAN | 2N6781 | AO4312 | FDP18N20F | BS107A | MDI4N60BTH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733