NTGS4111P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTGS4111P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.63 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для NTGS4111P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTGS4111P даташит
ntgs4111p nvgs4111p.pdf
NTGS4111P, NVGS4111P MOSFET Power, Single, P-Channel, TSOP-6 -30 V, -4.7 A Features http //onsemi.com Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) Low Profile Package Suitable for Portable Applications V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space 38 mW @ -10 V Improved Efficiency for Battery Applications -30 V -4.7 A 68 mW @ -4.5 V
ntgs4111p.pdf
NTGS4111P Power MOSFET -30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) http //onsemi.com Low Profile Package Suitable for Portable Applications Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Improved Efficiency for Battery Applications 38 mW @ -10 V Pb-Free Package is Available -30 V -4.7 A
ntgs4111pt1.pdf
NTGS4111P Power MOSFET -30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) http //onsemi.com Low Profile Package Suitable for Portable Applications Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Improved Efficiency for Battery Applications 38 mW @ -10 V Pb-Free Package is Available -30 V -4.7 A
ntgs4111pt.pdf
NTGS4111PT www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET - 30 5.1 nC 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1 APPLICATIONS Load Switch TSOP-6 (4) S Top V iew 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm P-
Другие MOSFET... NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , IRFB4110 , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 , NTHD3100C , NTHD3101F , NTHD3102C , NTHD3133PF , NTHD4102P .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033







