2SK957-01 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK957-01  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SK957-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK957-01 даташит

 7.1. Size:142K  fuji
 2sk957-m.pdf pdf_icon

2SK957-01

"2SK957M" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK957M" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK957M" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

 7.2. Size:141K  fuji
 2sk957-mr.pdf pdf_icon

2SK957-01

 7.3. Size:279K  inchange semiconductor
 2sk957-mr.pdf pdf_icon

2SK957-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK957-MR FEATURES Drain Current I = 2.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 8.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sole

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK951-01, 2SK952, 2SK953, 2SK954, 2SK955, 2SK956, 2SK956-01, 2SK957, IRFZ48N, 2SK958, 2SK959, 2SK960, 2SK960-MR, 2SK961, 2SK962, 2SK962-01, 2SK963