NTMD6N02R2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTMD6N02R2
Маркировка: E6N02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 260 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOIC8
Аналог (замена) для NTMD6N02R2
NTMD6N02R2 Datasheet (PDF)
ntmd6n02r2-d.pdf
NTMD6N02R2Power MOSFET6.0 Amps, 20 VoltsN-Channel Enhancement ModeDual SO-8 Packagehttp://onsemi.comFeaturesVDSS RDS(ON) TYP ID MAX Ultra Low RDS(on)20 V 35 mW @ VGS = 4.5 V 6.0 A Higher Efficiency Extending Battery Life Logic Level Gate Drive Miniature Dual SOIC-8 Surface Mount PackageN-Channel Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryD Avalanch
ntmd6n03r2.pdf
NTMD6N03R2Power MOSFET30 V, 6 A, Dual N-Channel SOIC-8Features Designed for use in low voltage, high speed switching applications http://onsemi.com Ultra Low On-Resistance ProvidesHigher Efficiency and Extends Battery LifeVDSS RDS(ON) Typ ID Max- RDS(on) = 0.024 W, VGS = 10 V (Typ)30 V 24 mW @ VGS = 10 V 6.0 A- RDS(on) = 0.030 W, VGS = 4.5 V (Typ) Miniature SOIC-8
ntmd6n04r2.pdf
NTMD6N04R2Power MOSFET40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8Features Designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.com Ultra Low On-Resistance ProvidesHigher Efficiency and Extends Battery Life - RDS(on) = 0.027 W, VGS = 10 V (Typ)VDSS RDS(ON) Typ ID Max - RDS(on) = 0.034 W, VGS = 4.5 V (Typ)40 V 27 mW @ VGS = 10 V 5.8 A Miniature S
ntmd6n03r2g nvmd6n03r2g.pdf
NTMD6N03R2,NVMD6N03R2Power MOSFET30 V, 6A, Dual N--Channel SOIC--8http://onsemi.comFeatures Designed for use in low voltage, high speed switching applicationsVDSS RDS(ON) Typ ID Max Ultra Low On--Resistance ProvidesHigher Efficiency and Extends Battery Life30 V 24 m @VGS =10V 6.0 A-- RDS(on) = 0.024 , VGS = 10 V (Typ)-- RDS(on) = 0.030 , VGS = 4.5 V (Typ)N-
Другие MOSFET... S60N12R , NTMD3P03 , NTMD4184PF , NTMD4820N , NTMD4840N , NTMD4884NF , NTMD5836NL , NTMD5838NL , IRFZ46N , NTMD6N03R2 , NTMD6N04R2 , S60N12S , NTMFS4119N , NTMFS4821N , NTMFS4823N , NTMFS4825NFE , NTMFS4826NE .
