NTMFS4852N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTMFS4852N
Маркировка: 4852N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 34.3 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 25.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: SO8FL
Аналог (замена) для NTMFS4852N
NTMFS4852N Datasheet (PDF)
ntmfs4852n.pdf

NTMFS4852NPower MOSFET30 V, 155 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications2.1 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V155 A CPU Po
ntmfs4852nt1g.pdf

NTMFS4852NPower MOSFET30 V, 155 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications2.1 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V155 A CPU Po
ntmfs4854nst1g.pdf

NTMFS4854NSSENSEFET Power MOSFET25 V, 149 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS2.5
ntmfs4854ns.pdf

NTMFS4854NSSENSEFET Power MOSFET25 V, 149 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS2.5
Другие MOSFET... NTMFS4834N , NTMFS4835N , NTMFS4836N , NTMFS4841N , S60N12RN , NTMFS4846N , NTMFS4847N , NTMFS4851N , STP65NF06 , NTMFS4854NS , S60N12RP , NTMFS4898NF , 2SK2828 , NTMFS4921N , NTMFS4923NE , NTMFS4925N , NTMFS4926N .
History: STM6966 | KP978A | PDS4810 | AOC2806 | 2SK1631 | BUZ345 | BUZ100SL-4
History: STM6966 | KP978A | PDS4810 | AOC2806 | 2SK1631 | BUZ345 | BUZ100SL-4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor