2SK962. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK962

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK962

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK962 даташит

 ..1. Size:134K  fuji
 2sk962.pdf pdf_icon

2SK962

 9.1. Size:139K  1
 2sk960-mr.pdf pdf_icon

2SK962

 9.2. Size:225K  1
 2sk961.pdf pdf_icon

2SK962

FUJI POWER MOSFET 2SK961 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET F- I SERIES Outline Drawings Features High current TO-220AB Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage Applications Switching regulators UPS DC-DC converters General purpose power amplifier 3. Source JEDEC TO-220AB EIAJ SC-46 Equivalent circuit schematic Maximum ratings and characteristic

 9.3. Size:32K  panasonic
 2sk963.pdf pdf_icon

2SK962

Power F-MOS FETs 2SK963 2SK963 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 7.0 0.3 3.5 0.2 3.0 0.2 Low ON-resistance RDS(on) RDS(on) = 0.45 (typ) High-speed switching tf = 45ns(typ) No secondary breakdown 1.1 0.1 0.85 0.1 Applications 0.75 0.1 0.4 0.1 DC-DC converter Non-contact relay Solenoid drive 2.3 0.2 4.6 0.4 Motor drive 1 2 3 1 Gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK956-01, 2SK957, 2SK957-01, 2SK958, 2SK959, 2SK960, 2SK960-MR, 2SK961, AON7403, 2SK962-01, 2SK963, 2SK970, 2SK971, 2SK972, 2SK973L, 2SK973S, 2SK974L