2N6768JANTXV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N6768JANTXV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 110 nC
Время нарастания (tr): 190 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO204
Аналог (замена) для 2N6768JANTXV
2N6768JANTXV Datasheet (PDF)
2n6768 irf350.pdf
PD - 90339FIRF350REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6768THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF350 400V 0.300 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf
2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION
Другие MOSFET... 2N6766JANTX , 2N6766JANTXV , 2N6766JTX , 2N6766JTXV , 2N6767 , 2N6768 , 2N6768JAN , 2N6768JANTX , IRFB3306 , 2N6768JTX , 2N6768JTXV , 2N6769 , 2N6770 , 2N6770JANTX , 2N6770JANTXV , 2N6770JTX , 2N6770JTXV .
