Аналоги NTMFS5830NL. Основные параметры
Наименование производителя: NTMFS5830NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
Тип корпуса: SO8FL
Аналог (замена) для NTMFS5830NL
NTMFS5830NL даташит
ntmfs5830nl.pdf
NTMFS5830NL Power MOSFET 40 V, 172 A, 2.3 mW Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 2.3 mW @
ntmfs5830nlt1g.pdf
NTMFS5830NL Power MOSFET 40 V, 172 A, 2.3 mW Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 2.3 mW @
ntmfs5834nlt1g.pdf
NTMFS5834NL, NVMFS5834NL Power MOSFET 40 V, 75 A, 9.3 mW, Single N-Channel Features Low RDS(on) http //onsemi.com Low Capacitance Optimized Gate Charge V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 9.3 mW @ 10 V Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 40 V 75 A Qualified and PPAP Capable 13.6 mW @ 4.5 V
ntmfs5834nl nvmfs5834nl.pdf
NTMFS5834NL, NVMFS5834NL Power MOSFET 40 V, 75 A, 9.3 mW, Single N-Channel Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge NVMFS5834NLWF - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 9.3 mW @ 10 V Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 40 V 75 A 13.6
Другие MOSFET... NTMFS4933N , NTMFS4934N , NTMFS4935N , NTMFS4936N , NTMFS4937N , NTMFS4939N , NTMFS4941N , NTMFS4943N , IRF740 , NTMFS5832NL , NTMFS5834NL , NTMFS5844NL , TK2R9E10PL , NTMS4176P , NTMS4177P , NTMS4503N , NTMS4800N .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOK065V65X2 | AOK065V120X2 | AOK033V120X2Q | AOK033V120X2 | AOB380A60L | AOB29S50L | AO3481C | AO3480 | APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G
Popular searches
irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent








