NTMS4807N - описание и поиск аналогов

 

NTMS4807N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMS4807N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 562 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для NTMS4807N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMS4807N даташит

 ..1. Size:88K  onsemi
ntms4807n.pdfpdf_icon

NTMS4807N

NTMS4807N Power MOSFET 30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 6.1 mW @ 10 V Disk Drives 30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri

 0.1. Size:88K  onsemi
ntms4807n-d ntms4807nr2g.pdfpdf_icon

NTMS4807N

NTMS4807N Power MOSFET 30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 6.1 mW @ 10 V Disk Drives 30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri

 7.1. Size:111K  onsemi
ntms4802n ntms4802nr2g.pdfpdf_icon

NTMS4807N

NTMS4802N Power MOSFET 30 V, 18 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 4.0 mW @ 10 V 30 V 18 A DC-DC Converters 5.5 mW @ 4.5 V Synchronous MOSFET

 7.2. Size:136K  onsemi
ntms4800n.pdfpdf_icon

NTMS4807N

NTMS4800N Power MOSFET 30 V, 8 A, N-Channel, SOIC-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device 20 mW @ 10 V Applications 30 V 8 A 27 mW @ 4.5 V

Другие MOSFET... NTMFS5844NL , TK2R9E10PL , NTMS4176P , NTMS4177P , NTMS4503N , NTMS4800N , NTMS4801N , NTMS4802N , IRFB4110 , NTMS4816N , NTMS4873NF , NTMS4916N , NTMS4917N , NTMS4920N , NTMS4937N , NTMS4939N , NTMS5835NL .

History: MDP10N60GTH | IPA075N15N3G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.