NTMS4807N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTMS4807N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.55 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 562 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для NTMS4807N
NTMS4807N Datasheet (PDF)
ntms4807n.pdf

NTMS4807NPower MOSFET30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications6.1 mW @ 10 V Disk Drives30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri
ntms4807n-d ntms4807nr2g.pdf

NTMS4807NPower MOSFET30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications6.1 mW @ 10 V Disk Drives30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri
ntms4802n ntms4802nr2g.pdf

NTMS4802NPower MOSFET30 V, 18 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications4.0 mW @ 10 V30 V 18 A DC-DC Converters5.5 mW @ 4.5 V Synchronous MOSFET
ntms4800n.pdf

NTMS4800NPower MOSFET30 V, 8 A, N-Channel, SOIC-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device20 mW @ 10 VApplications30 V 8 A27 mW @ 4.5 V
Другие MOSFET... NTMFS5844NL , TK2R9E10PL , NTMS4176P , NTMS4177P , NTMS4503N , NTMS4800N , NTMS4801N , NTMS4802N , IRF640N , NTMS4816N , NTMS4873NF , NTMS4916N , NTMS4917N , NTMS4920N , NTMS4937N , NTMS4939N , NTMS5835NL .
History: NTMFS4936N | NTMFS4943N | KI4435DY | NTMS4816N | NTMFS5832NL | NTMFS4927N | TK2R9E10PL
History: NTMFS4936N | NTMFS4943N | KI4435DY | NTMS4816N | NTMFS5832NL | NTMFS4927N | TK2R9E10PL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116