Справочник MOSFET. NTMS5838NL

 

NTMS5838NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTMS5838NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMS5838NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  onsemi
 ntms5838nl.pdf pdf_icon

NTMS5838NL

NTMS5838NLPower MOSFET40 V, 7.5 A, 25 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)25 mW @ 10 V40 V 7.5 AParameter Symbol Value Unit30.8 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage

 0.1. Size:105K  onsemi
 ntms5838nlr2g.pdf pdf_icon

NTMS5838NL

NTMS5838NLPower MOSFET40 V, 7.5 A, 20 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)20 mW @ 10 V40 V 7.5 AParameter Symbol Value Unit36.5 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage

 7.1. Size:105K  onsemi
 ntms5835nlr2g.pdf pdf_icon

NTMS5838NL

NTMS5835NLPower MOSFET40 V, 12 A, 10 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)10 mW @ 10 V40 V 12 AParameter Symbol Value Unit14 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage VDSS

 7.2. Size:116K  onsemi
 ntms5835nl.pdf pdf_icon

NTMS5838NL

NTMS5835NLPower MOSFET40 V, 12 A, 10 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)10 mW @ 10 V40 V 12 AParameter Symbol Value Unit14 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage VDSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTMS4816N , NTMS4873NF , NTMS4916N , NTMS4917N , NTMS4920N , NTMS4937N , NTMS4939N , NTMS5835NL , 7N65 , NTMS5P02 , NTMS7N03R2 , NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , NTP5864N , NTP6410AN .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.