Справочник MOSFET. NTP6411AN

 

NTP6411AN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP6411AN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 217 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 144 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP6411AN Datasheet (PDF)

 0.1. Size:106K  onsemi
ntp6411ang.pdfpdf_icon

NTP6411AN

NTB6411AN, NTP6411ANN-Channel Power MOSFET100 V, 77 A, 14 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These are Pb-Free DevicesID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)100 V 14 mW @ 10 V 77 AParameter Symbol Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 100 VN-ChannelG

 7.1. Size:111K  onsemi
ntb6411n ntp6411n.pdfpdf_icon

NTP6411AN

NTB6411AN, NTP6411ANN-Channel Power MOSFET100 V, 77 A, 14 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These are Pb-Free DevicesID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)100 V 14 mW @ 10 V 77 AParameter Symbol Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 100 VN-ChannelG

 8.1. Size:138K  onsemi
ntb6412ang ntp6412ang.pdfpdf_icon

NTP6411AN

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable

 8.2. Size:113K  onsemi
ntb6413ang ntp6413ang.pdfpdf_icon

NTP6411AN

NTB6413AN, NTP6413AN,NVB6413ANN-Channel Power MOSFET100 V, 42 A, 28 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 28 mW @ 10 V 42 AQualified and PPAP Capable The

Другие MOSFET... NTMS5P02 , NTMS7N03R2 , NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , NTP5864N , NTP6410AN , IRF1010E , NTP6412AN , NTP6413AN , NTR0202PL , NTR1P02 , NTR1P02LT1 , NTR2101P , NTR4003N , IPS65R650CE .

History: AONU32320 | YTF840 | BSS138A | AP4N4R2H | STF20NM60D | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.