Справочник MOSFET. NTP6412AN

 

NTP6412AN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP6412AN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0182 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для NTP6412AN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP6412AN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  onsemi
ntb6412an ntp6412an nvb6412an.pdfpdf_icon

NTP6412AN

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable Th

 ..2. Size:139K  onsemi
ntb6412an ntp6412an.pdfpdf_icon

NTP6412AN

NTB6412AN, NTP6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These are Pb-Free DevicesID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AParameter Symbol Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 100 VN-Channe

 0.1. Size:138K  onsemi
ntb6412ang ntp6412ang.pdfpdf_icon

NTP6412AN

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable

 8.1. Size:113K  onsemi
ntb6413ang ntp6413ang.pdfpdf_icon

NTP6412AN

NTB6413AN, NTP6413AN,NVB6413ANN-Channel Power MOSFET100 V, 42 A, 28 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 28 mW @ 10 V 42 AQualified and PPAP Capable The

Другие MOSFET... NTMS7N03R2 , NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , NTP5864N , NTP6410AN , NTP6411AN , K4145 , NTP6413AN , NTR0202PL , NTR1P02 , NTR1P02LT1 , NTR2101P , NTR4003N , IPS65R650CE , NTR4170N .

History: STM4460 | SSW1N60A | FDS9926A | STM4439A

 

 
Back to Top

 


 
.