Справочник MOSFET. NTP6413AN

 

NTP6413AN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP6413AN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP6413AN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  onsemi
 ntb6413an ntp6413an nvb6413an.pdf pdf_icon

NTP6413AN

NTB6413AN, NTP6413AN,NVB6413ANMOSFET Power,N-Channel100 V, 42 A, 28 mWwww.onsemi.comFeatures Low RDS(on)ID MAX High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) 100% Avalanche Tested100 V 28 mW @ 10 V 42 A NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableN-C

 ..2. Size:143K  onsemi
 ntb6413an ntp6413an.pdf pdf_icon

NTP6413AN

NTB6413AN, NTP6413ANN-Channel Power MOSFET100 V, 42 A, 28 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These are Pb-Free DevicesID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)100 V 28 mW @ 10 V 42 AParameter Symbol Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 100 VN-ChannelG

 0.1. Size:113K  onsemi
 ntb6413ang ntp6413ang.pdf pdf_icon

NTP6413AN

NTB6413AN, NTP6413AN,NVB6413ANN-Channel Power MOSFET100 V, 42 A, 28 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 28 mW @ 10 V 42 AQualified and PPAP Capable The

 0.2. Size:1420K  cn vbsemi
 ntp6413ang.pdf pdf_icon

NTP6413AN

NTP6413ANGwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.032 at VGS = 10 V45RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V40COMPLIANTDTO-220AB GSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , NTP5864N , NTP6410AN , NTP6411AN , NTP6412AN , IRF4905 , NTR0202PL , NTR1P02 , NTR1P02LT1 , NTR2101P , NTR4003N , IPS65R650CE , NTR4170N , NTR4171P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.