Справочник MOSFET. NTS4101P

 

NTS4101P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTS4101P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.329 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SC70 SOT323
 

 Аналог (замена) для NTS4101P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTS4101P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  onsemi
 nts4101p.pdf pdf_icon

NTS4101P

NTS4101PPower MOSFET-20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) http://onsemi.com -2.5 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)83 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-20 V88 mW @ -3.6 V -1.37 AApplications High Side Load Switch 104 mW @ -2.5

 0.1. Size:96K  onsemi
 nts4101pt1.pdf pdf_icon

NTS4101P

NTS4101PPower MOSFET-20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) http://onsemi.com -2.5 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)83 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-20 V88 mW @ -3.6 V -1.37 AApplications High Side Load Switch 104 mW @ -2.5

 0.2. Size:838K  cn vbsemi
 nts4101pt1g.pdf pdf_icon

NTS4101P

NTS4101PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET4.3 nC- 200.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

 0.3. Size:2471K  cn tech public
 tpnts4101pt1g.pdf pdf_icon

NTS4101P

TPNTS4 1 01 PT1 GP-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering InformationPart Number Qty per Reel Reel SizeTPNTS4101PT1G 3000 7DSGSOT-323Absolute Maximum Ratings (TA=

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPS65R650CE , NTR4170N , NTR4171P , NTR4501N , NTR4502P , NTR4503N , NTS2101P , NTS4001N , IRF530 , NTS4173P , NTS4409NT1G , NTTD4401F , NTTFS4821N , NTTFS4823N , NTTFS4824N , NTTFS4928N , NTTFS4929N .

History: APT10M19BVR

 

 
Back to Top

 


 
.