NTTFS4821N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTTFS4821N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NTTFS4821N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTTFS4821N даташит
nttfs4821n.pdf
NTTFS4821N Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N-Channel, m8FL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 7.0 mW @ 10 V 30 V 57 A Applications 10.8 mW @
nttfs4821ntag.pdf
NTTFS4821N Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N-Channel, m8FL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 7.0 mW @ 10 V 30 V 57 A Applications 10.8 mW @
nttfs4823ntag.pdf
NTTFS4823N Power MOSFET 30 V, 50 A, Single N-Channel, m8FL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 10.5 mW @ 10 V 30 V 50 A Applications 17.5 mW @
nttfs4824n.pdf
NTTFS4824N Power MOSFET 30 V, 69 A, Single N-Channel, m8FL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 5.0 mW @ 10 V 30 V 69 A Applications 7.5 mW @ 4
Другие MOSFET... NTR4502P , NTR4503N , NTS2101P , NTS4001N , NTS4101P , NTS4173P , NTS4409NT1G , NTTD4401F , CS150N03A8 , NTTFS4823N , NTTFS4824N , NTTFS4928N , NTTFS4929N , NTTFS4930N , NTTFS4932N , NTTFS4937N , NTTFS4939N .
History: LSE55R140GT | MTE050N15BRV8 | SIHP120N60E
History: LSE55R140GT | MTE050N15BRV8 | SIHP120N60E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198






