Справочник MOSFET. 2SK973S

 

2SK973S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK973S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK973S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  1
2sk973l 2sk973s.pdfpdf_icon

2SK973S

2SK973 L , 2SK973 SSilicon N-Channel MOS FETApplication4DPAK-1High speed power switching4Features12312 Low on-resistance32, 4 High speed switchingS type L type Low drive current 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source1. Gate1 Suitable for motor drive, DC-DC converter,2. Drain3. Sourcepower switch and solenoid drive4

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
2sk973s.pdfpdf_icon

2SK973S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK973SFEATURESDrain Current : I = 2.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 350m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

 8.1. Size:354K  inchange semiconductor
2sk973l.pdfpdf_icon

2SK973S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK973LFEATURESDrain Current : I = 2.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 350m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

 9.1. Size:44K  1
2sk972.pdfpdf_icon

2SK973S

2SK972Silicon N-Channel MOS FETApplicationTO220ABHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance2 High speed switching123 Low drive current 4 V gate drive device1. Gate Can be driven from 5 V source12. Drain Suitable for motor drive, DC-DC converter,(Flange)power switch and solenoid drive3. Source3Table 1 Absolute Maximum R

Другие MOSFET... 2SK961 , 2SK962 , 2SK962-01 , 2SK963 , 2SK970 , 2SK971 , 2SK972 , 2SK973L , AO3407 , 2SK974L , 2SK974S , 2SK975 , 2SK979 , 2SK981 , 2SK981A , 2SK985 , 2SK987 .

History: LSD65R105HF | STM8300 | SI1402DH | SSP70N10A | APT10050LVFR | IRFP150FI | RQ3E130MN

 

 
Back to Top

 


 
.