Справочник MOSFET. NTTFS5811NL

 

NTTFS5811NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTTFS5811NL
   Маркировка: 5811
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: WDFN8
 

 Аналог (замена) для NTTFS5811NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTTFS5811NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  onsemi
nttfs5811nl.pdfpdf_icon

NTTFS5811NL

NTTFS5811NLPower MOSFET40 V, 53 A, 6.4 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com Low Capacitance Optimized Gate ChargeV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant6.7 mW @ 10 V40 V 53 A10 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)Parameter Symbol Value UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 40

 0.1. Size:107K  onsemi
nttfs5811nltag.pdfpdf_icon

NTTFS5811NL

NTTFS5811NLPower MOSFET40 V, 53 A, 6.4 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com Low Capacitance Optimized Gate ChargeV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant6.7 mW @ 10 V40 V 53 A10 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)Parameter Symbol Value UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 40

 7.1. Size:107K  1
nttfs5820nltag.pdfpdf_icon

NTTFS5811NL

NTTFS5820NLPower MOSFET60 V, 37 A, 11.5 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com Low Capacitance Optimized Gate ChargeV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant11.5 mW @ 10 V60 V 37 A15 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)Parameter Symbol Value UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS

 7.2. Size:108K  1
nttfs5826nltag.pdfpdf_icon

NTTFS5811NL

NTTFS5826NLPower MOSFET60 V, 24 mW, Single N-Channel, m8FLFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designs Low QG(TOT) to Minimize Switching Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications Motor Drivers24 mW @ 10 V60 V 20 A DC-DC Converters32 mW @ 4.5 V

Другие MOSFET... NTTFS4928N , NTTFS4929N , NTTFS4930N , NTTFS4932N , NTTFS4937N , NTTFS4939N , NTTFS4941N , NTTFS5116PL , 5N65 , NTTFS5820NL , NTTFS5826NL , NTUD3127C , NTUD3169CZ , NTUD3170NZ , NTZD3152P , NTZD3154N , NTZD3155C .

History: HUF75339S3 | FRS9230H

 

 
Back to Top

 


 
.