NVD5863NL - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NVD5863NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NVD5863NL
NVD5863NL технические параметры
nvd5863nl.pdf
NVD5863NL Power MOSFET 60 V, 7.1 mW, 82 A, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specified http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) ID Compliant 7.1 mW @ 10 V 60 V 82 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise not
nvd5865nl.pdf
NVD5865NL Power MOSFET 60 V, 46 A, 16 mW, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability www.onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified V(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 16 mW @ 10 V Compliant 60 V 46 A 19 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless oth
nvd5862n.pdf
NVD5862N Power MOSFET 60 V, 5.7 mW, 98 A, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability http //onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) ID Compliant 60 V 5.7 mW @ 10 V 98 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted
nvd5867nl.pdf
NVD5867NL Power MOSFET 60 V, 22 A, 39 mW, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability www.onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 39 mW @ 10 V Compliant 60 V 22 A 50 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ =
Другие MOSFET... NTZD5110N , NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , NUS5530MN , NUS5531MT , NVD5803N , NVD5862N , IRFB31N20D , NVD5865NL , NVD5867NL , NVD5890N , NVMFD5877NL , NVMFS4841N , NVTFS4823N , NVTFS4824N , NVTFS5116PL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139 | AP3134N5 | AP3101A | AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K
Popular searches
2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor





