NVD5863NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVD5863NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NVD5863NL
NVD5863NL Datasheet (PDF)
nvd5863nl.pdf

NVD5863NLPower MOSFET60 V, 7.1 mW, 82 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specifiedhttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant7.1 mW @ 10 V60 V 82 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise not
nvd5865nl.pdf

NVD5865NLPower MOSFET60 V, 46 A, 16 mW, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capabilitywww.onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 QualifiedV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS16 mW @ 10 VCompliant60 V 46 A19 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless oth
nvd5862n.pdf

NVD5862NPower MOSFET60 V, 5.7 mW, 98 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant60 V 5.7 mW @ 10 V 98 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted
nvd5867nl.pdf

NVD5867NLPower MOSFET60 V, 22 A, 39 mW, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capabilitywww.onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS39 mW @ 10 VCompliant60 V 22 A50 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ =
Другие MOSFET... NTZD5110N , NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , NUS5530MN , NUS5531MT , NVD5803N , NVD5862N , IRF730 , NVD5865NL , NVD5867NL , NVD5890N , NVMFD5877NL , NVMFS4841N , NVTFS4823N , NVTFS4824N , NVTFS5116PL .
History: SDD02N70 | IXTV26N60PS
History: SDD02N70 | IXTV26N60PS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTC80N06A | JMTC6888A | JMTC60N04B | JMTC58N06B | JMTC4004A | JMTC320N10A | JMTC3005A | JMTC3003A | JMTC3002B | JMTC170N10A | JMTC110N06A | JMTC085P04A | JMTC068N07A | JMTC060N06A | JMTC035N06D | JMTC035N04A
Popular searches
2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor