Справочник MOSFET. SFT1450

 

SFT1450 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFT1450
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFT1450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  sanyo
sft1450.pdfpdf_icon

SFT1450

SFT1450Ordering number : ENA1743SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSFT1450ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=21m (typ) Input Capacitance Ciss=715pF(typ) 4.5V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-t

 8.1. Size:980K  onsemi
sft1452.pdfpdf_icon

SFT1450

Ordering number : EN9051BSFT1452N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com250V, 3A, 2.4 , Single DPAK/IPAKFeatures ON-resistance RDS(on)=1.8 (typ.) Input Capacitance Ciss=210pF(typ.) 10V drive Halogen free compliance ESD Diode-Protected GateSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Sou

 9.1. Size:491K  sanyo
sft1423.pdfpdf_icon

SFT1450

SFT1423Ordering number : ENA1509SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSFT1423ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 500 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID 2 A

 9.2. Size:351K  sanyo
sft1440.pdfpdf_icon

SFT1450

SFT1440Ordering number : ENA1816SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSFT1440ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=6.2 (typ.) Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 600 VGate-to-Source Voltage VGSS 30 VDrain Current (DC) ID

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: WMP15N60C4 | SMIRF20N65T8TL | IAUC100N10S5N040 | STU601S | IXFP56N30X3 | FDB28N30TM | AP70T03AJ

 

 
Back to Top

 


 
.