Справочник MOSFET. FQD2N60CTM

 

FQD2N60CTM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQD2N60CTM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для FQD2N60CTM

 

 

FQD2N60CTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:557K  fairchild semi
 fqd2n60ctm.pdf

FQD2N60CTM FQD2N60CTM

November 2013FQD2N60C / FQU2N60CN-Channel QFET MOSFET600 V, 1.9 A, 4.7 Features Description 1.9 A, 600 V, RDS(on) = 4.7 (Max.) @ VGS = 10 V, This N-Channel enhancement mode power MOSFET is ID = 0.95 Aproduced using Fairchild Semiconductors proprietary Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC)planar stripe and DMOS technology. This advanced Low Crss (Typ. 4.3 pF)

 6.1. Size:762K  fairchild semi
 fqd2n60c fqu2n60c fqu2n60ctu.pdf

FQD2N60CTM FQD2N60CTM

January 2009QFETFQD2N60C/FQU2N60C 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 1.9A, 600V, RDS(on) = 4.7 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge (typical 8.5 nC)DMOS technology. Low Crss (typical 4.3 pF)This advanced technology has been especially tail

 6.2. Size:618K  onsemi
 fqd2n60c fqu2n60c.pdf

FQD2N60CTM FQD2N60CTM

TMQFETFQD2N60C / FQU2N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.9A, 600V, RDS(on) = 4.7 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 8.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.3 pF)This advanced technology has been especially tailored

 6.3. Size:804K  cn vbsemi
 fqd2n60c.pdf

FQD2N60CTM FQD2N60CTM

FQD2N60Cwww.VBsemi.twN-Channel 650 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 3.8RoHS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 15RuggednessQgs (nC) 3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 6 Compliant to RoHS

Другие MOSFET... SMP3003 , TF202THC , TF252 , TF252TH , TF256 , TF256TH , WPB4002 , FDM15-06KC5 , IRF630 , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , FMD40-06KC , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 .

 

 
Back to Top