FMK75-01F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FMK75-01F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
FMK75-01F Datasheet (PDF)
fmk75-01f.pdf
FMK 75-01FID25 = 75 AHiPerFETTM Power MOSFETVDSS = 100 VCommon Source Topologyin ISOPLUS i4-PACTMRDSon typ. = 18 m4Preliminary dataT153T2 1125Features MOSFET T1/T2 HiPerFETTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon- low gate charge for high frequencyVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V operation- unclamped induc
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918