Справочник MOSFET. FMM150-0075X2F

 

FMM150-0075X2F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMM150-0075X2F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 178 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSI4
 

 Аналог (замена) для FMM150-0075X2F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMM150-0075X2F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  ixys
 fmm150-0075x2f.pdf pdf_icon

FMM150-0075X2F

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFET VDSS = 75VFMM150-0075X2FN-Channel Power ID25 = 120A MOSFET RDS(on) 5.8m 33T1trr(typ) = 66ns5544T211Phase Leg TopologyISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +175 C 1TJM 175 CIsolated TabTstg -55 ... +175 C5VISOL 50/60HZ, RMS, t

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.