FMM150-0075X2F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FMM150-0075X2F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUSI4

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FMM150-0075X2F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMM150-0075X2F даташит

 ..1. Size:179K  ixys
 fmm150-0075x2f.pdf pdf_icon

FMM150-0075X2F

Advance Technical Information TrenchT2TM HiperFET VDSS = 75V FMM150-0075X2F N-Channel Power ID25 = 120A MOSFET RDS(on) 5.8m 3 3 T1 trr(typ) = 66ns 5 5 4 4 T2 1 1 Phase Leg Topology ISOPLUS i4-PakTM 2 2 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ -55 ... +175 C 1 TJM 175 C Isolated Tab Tstg -55 ... +175 C 5 VISOL 50/60HZ, RMS, t

Другие IGBT... FDMS8672S, FMD21-05QC, FMD40-06KC, FDMS86368F085, FMD47-06KC5, FDBL86361F085, FMK75-01F, FMM110-015X2F, IRF1010E, FMM22-05PF, FMM22-06PF, FMM50-025TF, FMM60-02TF, FMM75-01F, FMP26-02P, FMP36-015P, FMP76-01T