Справочник MOSFET. IXFB82N60P

 

IXFB82N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB82N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFB82N60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB82N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  ixys
 ixfb82n60p.pdf pdf_icon

IXFB82N60P

IXFB 82N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 82 APower MOSFET RDS(on) 75 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 V(TAB)G

Другие MOSFET... IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IRF640N , IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 , IXFC14N60P , IXFC14N80P , IXFC15N80Q .

History: SHD225452 | TPB70R950C | CS10N60A8HD | RS1G120MN | AP9435GP-HF | NTMFS4939NT1G | FDP8N50NZU

 

 
Back to Top

 


 
.