Справочник MOSFET. IXFC12N80P

 

IXFC12N80P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFC12N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.93 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220

 Аналог (замена) для IXFC12N80P

 

 

IXFC12N80P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:229K  ixys
 ixfc14n60p.pdf

IXFC12N80P IXFC12N80P

IXFC 14N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 8 APower MOSFET RDS(on) 630 m ISOPLUS220TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ

 9.2. Size:223K  ixys
 ixfc16n50p.pdf

IXFC12N80P IXFC12N80P

IXFC 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 10 APower MOSFET RDS(on) 450 m ISOPLUS220TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedISOPLUS220TM (IXFC)Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR T

 9.3. Size:230K  ixys
 ixfc110n10p.pdf

IXFC12N80P IXFC12N80P

IXFC 110N10P VDSS = 100 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 60 APower MOSFET RDS(on) 17 m ISOPLUS220TMtrr 150 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top