IXFE44N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFE44N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFE44N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS227
 

 Аналог (замена) для IXFE44N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFE44N60 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие MOSFET... IXFE180N10 , IXFE180N20 , IXFE23N100 , IXFE24N100 , IXFE39N90 , IXFE44N50Q , IXFE44N50QD2 , IXFE44N50QD3 , RFP50N06 , IXFE48N50Q , IXFE48N50QD2 , IXFE48N50QD3 , IXFE50N50 , IXFE55N50 , IXFE73N30Q , IXFE80N50 , IXFF24N100 .

History: 2SK1421 | R6024ENJ | CS7N65A4R | 2N7002EGP | IRLR3715ZC | RU30P40M3 | UF730

 

 
Back to Top

 


 
.