Справочник MOSFET. IXFH14N60P

 

IXFH14N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH14N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFH14N60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH14N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  ixys
 ixfa14n60p ixfh14n60p ixfp14n60p.pdf pdf_icon

IXFH14N60P

IXFA 14N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFH 14N60P ID25 = 14 APower MOSFET IXFP 14N60P RDS(on) 550 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V S(TAB)VGS Continuous 30 VV

 0.1. Size:173K  ixys
 ixfa14n60p3 ixfh14n60p3.pdf pdf_icon

IXFH14N60P

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA14N60P3Power MOSFETs ID25 = 14AIXFP14N60P3 RDS(on) 540m IXFH14N60P3N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 15

 7.1. Size:426K  1
 ixfh11n80 ixfm11n80 ixfh13n80 ixfm13n80 ixfh14n80 ixfm14n80 ixfh15n80 ixfm15n80.pdf pdf_icon

IXFH14N60P

 7.2. Size:116K  ixys
 ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdf pdf_icon

IXFH14N60P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 WPower MOSFETsIXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 Wtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyPreliminary data sheetTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 1000 V(TAB)VGS Continuous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFH12N120P , IXFH12N50F , IXFH12N80P , IXFH12N90P , IXFH13N100 , IXFH13N90 , IXFH140N10P , IXFH14N100Q2 , K2611 , IXFH14N80P , IXFH150N15P , IXFH150N17T , IXFH150N17T2 , IXFH15N100P , IXFH15N100Q , IXFH15N100Q3 , IXFH15N80Q .

History: NCE0160AG | TSJ10N10AT | RFG50N05L | P3055LDG | HGN024N06SL | H7N1004LM

 

 
Back to Top

 


 
.