IXFH14N80P - описание и поиск аналогов

 

IXFH14N80P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFH14N80P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFH14N80P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH14N80P даташит

 5.2. Size:112K  ixys
ixfh14n80 ixfh15n80.pdfpdf_icon

IXFH14N80P

 7.1. Size:173K  ixys
ixfa14n60p3 ixfh14n60p3.pdfpdf_icon

IXFH14N80P

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA14N60P3 Power MOSFETs ID25 = 14A IXFP14N60P3 RDS(on) 540m IXFH14N60P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 15

 7.2. Size:257K  ixys
ixfa14n60p ixfh14n60p ixfp14n60p.pdfpdf_icon

IXFH14N80P

IXFA 14N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFH 14N60P ID25 = 14 A Power MOSFET IXFP 14N60P RDS(on) 550 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-263 (IXFA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V S (TAB) VGS Continuous 30 V V

Другие MOSFET... IXFH12N50F , IXFH12N80P , IXFH12N90P , IXFH13N100 , IXFH13N90 , IXFH140N10P , IXFH14N100Q2 , IXFH14N60P , P60NF06 , IXFH150N15P , IXFH150N17T , IXFH150N17T2 , IXFH15N100P , IXFH15N100Q , IXFH15N100Q3 , IXFH15N80Q , IXFH160N15T .

History: IXFH14N100Q2 | TK30A06N1 | WMS090N04LG2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.