3N126 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3N126
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 50 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm
Тип корпуса: TO72
Аналог (замена) для 3N126
3N126 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 2SK993 , 2SK994 , 2SK995 , 2SK996 , 2SK997 , 2SK998 , 3N124 , 3N125 , IRF3710 , 3N140 , 3N141 , 3N159 , 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 .
History: PSMN5R8-30LL | SWJ13N65K2 | AP9565BGJ-HF
History: PSMN5R8-30LL | SWJ13N65K2 | AP9565BGJ-HF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123


