3N126 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3N126
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 50 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm
Тип корпуса: TO72
Аналог (замена) для 3N126
3N126 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 2SK993 , 2SK994 , 2SK995 , 2SK996 , 2SK997 , 2SK998 , 3N124 , 3N125 , IRFB4115 , 3N140 , 3N141 , 3N159 , 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 .
History: IXZ308N120 | 2SK1851 | WSR45P10 | MTP2N85
History: IXZ308N120 | 2SK1851 | WSR45P10 | MTP2N85



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123