IXFH15N100P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IXFH15N100P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.76 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXFH15N100P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IXFH15N100P даташит
ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdf
VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 W Power MOSFETs IXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 W trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data sheet TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 1000 V (TAB) VGS Continuous
ixfh11n80 ixfm11n80 ixfh13n80 ixfm13n80 ixfh14n80 ixfm14n80 ixfh15n80 ixfm15n80.pdf
ixfh15n60 ixfh20n60 ixfm15n60 ixfm20n60.pdf
VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 15 N60 600 V 15 A 0.50 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 20 N60 600 V 20 A 0.35 W trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 2
ixfh15n80q ixft15n80q.pdf
IXFH 15N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFT 15N80Q ID25 = 15 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.60 W Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID25 TC = 25 C15 A IDM
Другие MOSFET... IXFH13N90 , IXFH140N10P , IXFH14N100Q2 , IXFH14N60P , IXFH14N80P , IXFH150N15P , IXFH150N17T , IXFH150N17T2 , STP65NF06 , IXFH15N100Q , IXFH15N100Q3 , IXFH15N80Q , IXFH160N15T , IXFH160N15T2 , IXFH16N120P , IXFH16N50P , IXFH16N80P .
History: BSZ036NE2LS | LSH60R240HT
History: BSZ036NE2LS | LSH60R240HT
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor





