Справочник MOSFET. IXFH160N15T2

 

IXFH160N15T2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFH160N15T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXFH160N15T2

 

 

IXFH160N15T2 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:252K  ixys
 ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf

IXFH160N15T2 IXFH160N15T2

IXFA 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFH 16N50P ID25 = 16 APower MOSFETIXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V

 8.2. Size:112K  ixys
 ixfh16n90 ixfx16n90.pdf

IXFH160N15T2 IXFH160N15T2

IXFH16N90 VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFX16N90 ID25 = 16 APower MOSFETsRDS(on) = 0.65 WN-Channel Enhancement Modet 200 nsHigh dv/dt, Low t , HDMOSTM FamilyrrrrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 2

 8.3. Size:166K  ixys
 ixfa16n60p3 ixfh16n60p3 ixfp16n60p3.pdf

IXFH160N15T2 IXFH160N15T2

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA16N60P3Power MOSFETs ID25 = 16AIXFP16N60P3 RDS(on) 440m IXFH16N60P3N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 15

 8.4. Size:173K  ixys
 ixfa16n50p3 ixfh16n50p3 ixfp16n50p3.pdf

IXFH160N15T2 IXFH160N15T2

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFA16N50P3Power MOSFETs ID25 = 16AIXFP16N50P3 RDS(on) 360m IXFH16N50P3N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 15

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top