IXFH16N50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXFH16N50P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXFH16N50P
IXFH16N50P Datasheet (PDF)
ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf

IXFA 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFH 16N50P ID25 = 16 APower MOSFETIXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V
ixfa16n50p3 ixfh16n50p3 ixfp16n50p3.pdf

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFA16N50P3Power MOSFETs ID25 = 16AIXFP16N50P3 RDS(on) 360m IXFH16N50P3N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 15
ixfh16n90 ixfx16n90.pdf

IXFH16N90 VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFX16N90 ID25 = 16 APower MOSFETsRDS(on) = 0.65 WN-Channel Enhancement Modet 200 nsHigh dv/dt, Low t , HDMOSTM FamilyrrrrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 2
ixfa16n60p3 ixfh16n60p3 ixfp16n60p3.pdf

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA16N60P3Power MOSFETs ID25 = 16AIXFP16N60P3 RDS(on) 440m IXFH16N60P3N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 15
Другие MOSFET... IXFH150N17T2 , IXFH15N100P , IXFH15N100Q , IXFH15N100Q3 , IXFH15N80Q , IXFH160N15T , IXFH160N15T2 , IXFH16N120P , AON7403 , IXFH16N80P , IXFH16N90Q , IXFH170N10P , IXFH17N80Q , IXFH18N60P , IXFH18N90P , IXFH20N100P , IXFH20N80P .
History: P1060AT | OSG60R320FT3ZF | IXTH30N60P | TPR65R120M | CMPF5484 | FQB2N90TM | 2SK4067I
History: P1060AT | OSG60R320FT3ZF | IXTH30N60P | TPR65R120M | CMPF5484 | FQB2N90TM | 2SK4067I



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a