2N6769 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N6769
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO204
2N6769 Datasheet (PDF)
2n6762 irf430.pdf
PD - 90336FIRF430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6762THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF430 500V 1.5 4.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
2n6768 irf350.pdf
PD - 90339FIRF350REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6768THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF350 400V 0.300 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
2n6760 irf330.pdf
PD - 90335FIRF330REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6760HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6760THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF330 400V 1.00 5.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
2n6766 irf250.pdf
PD - 90338EIRF250REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6766HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6766THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF250 200V 0.085 30AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-3The efficient geometry and unique
2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf
2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION
Другие MOSFET... 2N6766JTXV , 2N6767 , 2N6768 , 2N6768JAN , 2N6768JANTX , 2N6768JANTXV , 2N6768JTX , 2N6768JTXV , CEP83A3 , 2N6770 , 2N6770JANTX , 2N6770JANTXV , 2N6770JTX , 2N6770JTXV , 2N6781 , 2N6781LCC4 , 2N6781-SM .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918