2N6769 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

2N6769 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: 2N6769
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO204

Аналог (замена) для 2N6769

- подбор MOSFET транзистора по параметрам

2N6769 Datasheet (PDF)

..1. Size:137K fairchild semi
2n6769.pdf pdf_icon

9.1. Size:142K 1
2n6766.pdf pdf_icon

9.2. Size:140K 1
2n6768.pdf pdf_icon

9.3. Size:140K 1
2n6764.pdf pdf_icon

9.4. Size:146K international rectifier
2n6762 irf430.pdf pdf_icon

PD - 90336FIRF430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6762THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF430 500V 1.5 4.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

9.5. Size:144K international rectifier
2n6768 irf350.pdf pdf_icon

PD - 90339FIRF350REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6768THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF350 400V 0.300 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

9.6. Size:146K international rectifier
2n6760 irf330.pdf pdf_icon

PD - 90335FIRF330REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6760HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6760THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF330 400V 1.00 5.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

9.7. Size:145K international rectifier
2n6766 irf250.pdf pdf_icon

PD - 90338EIRF250REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6766HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6766THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF250 200V 0.085 30AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-3The efficient geometry and unique

9.8. Size:140K fairchild semi
2n6763.pdf pdf_icon

9.9. Size:140K fairchild semi
2n6767.pdf pdf_icon

9.10. Size:142K fairchild semi
2n6765.pdf pdf_icon

9.11. Size:137K fairchild semi
2n6761 2n6762.pdf pdf_icon

9.12. Size:138K fairchild semi
2n6759 2n6760.pdf pdf_icon

9.13. Size:64K omnirel
2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf pdf_icon

2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION

Другие MOSFET... 2N6766JTXV , 2N6767 , 2N6768 , 2N6768JAN , 2N6768JANTX , 2N6768JANTXV , 2N6768JTX , 2N6768JTXV , IRF730 , 2N6770 , 2N6770JANTX , 2N6770JANTXV , 2N6770JTX , 2N6770JTXV , 2N6781 , 2N6781LCC4 , 2N6781-SM .