IXFH22N60P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFH22N60P3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 38 nC
Время нарастания (tr): 250 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXFH22N60P3
IXFH22N60P3 Datasheet (PDF)
ixfh22n60p ixfv22n60p.pdf
IXFH 22N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 22N60PID25 = 22 APower MOSFETsIXFV 22N60PS RDS(on) 350 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 60
ixfa22n65x2 ixfp22n65x2 ixfh22n65x2.pdf
X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)TO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGSM T
ixfa22n65x2 ixfh22n65x2 ixfp22n65x2.pdf
Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 160m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
