IXFH40N50Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFH40N50Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFH40N50Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH40N50Q даташит

 ..1. Size:123K  ixys
 ixfh40n50q ixft40n50q.pdf pdf_icon

IXFH40N50Q

Advanced Technical Information IXFH 40N50Q VDSS = 500 V HiPerFETTM IXFT 40N50Q ID25 = 40 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

 7.1. Size:265K  ixys
 ixft40n85xhv ixfh40n85x.pdf pdf_icon

IXFH40N50Q

Advance Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFT40N85XHV Power MOSFET ID25 = 40A IXFH40N85X RDS(on) 145m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268HV (IXFT) Fast Intrinsic Diode G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V TO-

 7.2. Size:168K  ixys
 ixfh35n30 ixfh40n30 ixfm35n30 ixfm40n30.pdf pdf_icon

IXFH40N50Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 35 N30 300 V 35 A 100 mW Power MOSFETs IXFH 40 N30 300 V 40 A 85 mW IXFM 40 N30 300 V 40 A 88 mW N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 300 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Trans

 7.3. Size:50K  ixys
 ixfh40n30q ixft40n30q.pdf pdf_icon

IXFH40N50Q

IXFH 40N30Q HiPerFETTM VDSS = 300 V IXFT 40N30Q Power MOSFETs ID25 = 40 A Q-Class RDS(on) = 80 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet TO-268 (IXFT) Case Style Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 300 V VGS Continuous 20 V G (TAB) VGSM Transie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFH30N60Q, IXFH320N10T2, IXFH340N075T2, IXFH36N50P, IXFH36N55Q, IXFH36N55Q2, IXFH36N60P, IXFH400N075T2, IRF630, IXFH40N50Q2, IXFH42N50P2, IXFH42N60P3, IXFH44N50P, IXFH50N30Q3, IXFH50N60P3, IXFH52N30P, IXFH52N50P2