Справочник MOSFET. IXFH40N50Q

 

IXFH40N50Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH40N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFH40N50Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH40N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  ixys
ixfh40n50q ixft40n50q.pdfpdf_icon

IXFH40N50Q

Advanced Technical InformationIXFH 40N50Q VDSS = 500 VHiPerFETTMIXFT 40N50Q ID25 = 40 APower MOSFETsRDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500

 7.1. Size:265K  ixys
ixft40n85xhv ixfh40n85x.pdfpdf_icon

IXFH40N50Q

Advance Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFT40N85XHVPower MOSFET ID25 = 40AIXFH40N85X RDS(on) 145m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268HV (IXFT)Fast Intrinsic DiodeGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 850 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VTO-

 7.2. Size:168K  ixys
ixfh35n30 ixfh40n30 ixfm35n30 ixfm40n30.pdfpdf_icon

IXFH40N50Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 35 N30 300 V 35 A 100 mWPower MOSFETsIXFH 40 N30 300 V 40 A 85 mWIXFM 40 N30 300 V 40 A 88 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 300 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Trans

 7.3. Size:50K  ixys
ixfh40n30q ixft40n30q.pdfpdf_icon

IXFH40N50Q

IXFH 40N30QHiPerFETTMVDSS = 300 VIXFT 40N30QPower MOSFETs ID25 = 40 AQ-Class RDS(on) = 80 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetTO-268 (IXFT) Case StyleSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 300 VVGS Continuous 20 VG(TAB)VGSM Transie

Другие MOSFET... IXFH30N60Q , IXFH320N10T2 , IXFH340N075T2 , IXFH36N50P , IXFH36N55Q , IXFH36N55Q2 , IXFH36N60P , IXFH400N075T2 , AON7408 , IXFH40N50Q2 , IXFH42N50P2 , IXFH42N60P3 , IXFH44N50P , IXFH50N30Q3 , IXFH50N60P3 , IXFH52N30P , IXFH52N50P2 .

 

 
Back to Top

 


 
.