3N169 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 3N169
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 35 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: TO72
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
3N169 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 3N124 , 3N125 , 3N126 , 3N140 , 3N141 , 3N159 , 3N163 , 3N164 , STP75NF75 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 3N191 .
History: AP85U03GMT-HF | MDQ18N50GTP | IRFB3206GPBF | OSG60R108FZF | IXFH24N80P
History: AP85U03GMT-HF | MDQ18N50GTP | IRFB3206GPBF | OSG60R108FZF | IXFH24N80P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor