3N169 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: 3N169
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 35 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
   Тип корпуса: TO72

Другие MOSFET... 3N124 , 3N125 , 3N126 , 3N140 , 3N141 , 3N159 , 3N163 , 3N164 , STP75NF75 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 3N191 .