3N169. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N169

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 35 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm

Тип корпуса: TO72

Аналог (замена) для 3N169

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N169 даташит

 ..1. Size:103K  1
 3n169 3n170 3n171.pdf pdf_icon

3N169

Другие IGBT... 3N124, 3N125, 3N126, 3N140, 3N141, 3N159, 3N163, 3N164, 8205A, 3N170, 3N171, 3N175, 3N176, 3N177, 3N187, 3N190, 3N191