IXFH68N20 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IXFH68N20 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IXFH68N20
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IXFH68N20 даташит
ixfh60n25q ixfk60n25q ixft60n25q.pdf
Advanced Technical Information IXFH 60N25Q HiPerFETTM VDSS = 250 V IXFK 60N25Q Power MOSFETs ID25 = 60 A IXFT 60N25Q Q-Class RDS(on) = 47 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 250
ixfh6n100q ixft6n100q.pdf
VDSS = 1000 V IXFH 6N100Q HiPerFETTM ID25 = 6 A IXFT 6N100Q Power MOSFETs RDS(on) = 1.9 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V VG
ixfh60n60x2a.pdf
X2-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFH60N60X2A Power MOSFET ID25 = 60A RDS(on) 52m AEC Q101 Qualified N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G = Gate D = Drain VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 600 V S = Source Ta
ixfh60n65x2.pdf
Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFH60N65X2 Power MOSFET ID25 = 60A RDS(on) 52m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G = Gate D = Drain VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S =
Другие IGBT... IXFH50N60P3, IXFH52N30P, IXFH52N50P2, IXFH5N100P, IXFH60N20, IXFH60N20F, IXFH60N50P3, IXFH66N20Q, IRFP260, IXFH69N30P, IXFH6N100F, IXFH6N120, IXFH6N120P, IXFH70N20Q3, IXFH74N20, IXFH74N20P, IXFH7N90Q
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: AGM13T30D | 2SK795 | FDD7N20TM | P1604ETF | HM80N04 | NDB6050 | APT7F120B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606








