IXFH6N100F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFH6N100F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 250 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.9 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXFH6N100F
IXFH6N100F Datasheet (PDF)
ixfh6n100q ixft6n100q.pdf
VDSS = 1000 VIXFH 6N100QHiPerFETTMID25 = 6 AIXFT 6N100QPower MOSFETsRDS(on) = 1.9 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 VVG
ixfh6n90 ixfh6n100 ixfm6n90 ixfm6n100.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 6 N90 900 V 6 A 1.8 WPower MOSFETsIXFH/IXFM 6 N100 1000 V 6 A 2.0 Wtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 6N90 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 6N100 1000 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID2
ixfh6n120p.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IXFH6N120PFEATURESDrain Current : I = 6.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 1200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.75(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
