IXFH6N120P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFH6N120P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.75 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFH6N120P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH6N120P даташит

 ..1. Size:345K  inchange semiconductor
 ixfh6n120p.pdf pdf_icon

IXFH6N120P

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFH6N120P FEATURES Drain Current I = 6.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 1200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.75 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and s

 7.1. Size:116K  ixys
 ixfh6n100q ixft6n100q.pdf pdf_icon

IXFH6N120P

VDSS = 1000 V IXFH 6N100Q HiPerFETTM ID25 = 6 A IXFT 6N100Q Power MOSFETs RDS(on) = 1.9 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V VG

 7.2. Size:77K  ixys
 ixfh6n90 ixfh6n100 ixfm6n90 ixfm6n100.pdf pdf_icon

IXFH6N120P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 6 N90 900 V 6 A 1.8 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 6 N100 1000 V 6 A 2.0 W trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 6N90 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 6N100 1000 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V ID2

 9.1. Size:71K  ixys
 ixfh60n25q ixfk60n25q ixft60n25q.pdf pdf_icon

IXFH6N120P

Advanced Technical Information IXFH 60N25Q HiPerFETTM VDSS = 250 V IXFK 60N25Q Power MOSFETs ID25 = 60 A IXFT 60N25Q Q-Class RDS(on) = 47 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 250

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFH60N20, IXFH60N20F, IXFH60N50P3, IXFH66N20Q, IXFH68N20, IXFH69N30P, IXFH6N100F, IXFH6N120, AON6380, IXFH70N20Q3, IXFH74N20, IXFH74N20P, IXFH7N90Q, IXFH80N08, IXFH80N085, IXFH80N10, IXFH80N15Q