Справочник MOSFET. IXFH80N10

 

IXFH80N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH80N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFH80N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH80N10 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:52K  ixys
 ixfh80n10q ixft80n10q.pdf pdf_icon

IXFH80N10

IXFH 80N10Q VDSS = 100 VHiPerFETTMIXFT 80N10Q ID25 = 80 APower MOSFETs RDS(on) = 15 mWQ-Classtrr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary dataTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Trans

 7.1. Size:70K  ixys
 ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdf pdf_icon

IXFH80N10

IXFH 80N20QHiPerFETTMVDSS = 200 VIXFK 80N20QPower MOSFETs ID25 = 80 AIXFT 80N20QQ-Class RDS(on) = 28 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transi

 7.2. Size:114K  ixys
 ixfh80n65x2.pdf pdf_icon

IXFH80N10

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFH80N65X2Power MOSFET ID25 = 80A RDS(on) 40m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247Fast Intrinsic DiodeGDSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VG = Gate D = DrainVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VS =

 7.3. Size:54K  ixys
 ixfh80n085 ixft80n085.pdf pdf_icon

IXFH80N10

IXFH 80N085 VDSS = 85 VHiPerFETTMIXFT 80N085 ID25 = 80 APower MOSFETsRDS(on) = 9 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche Rated, High dv/dtPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C85 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 85 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)ID25 TC = 25C80 AIL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFH6N120 , IXFH6N120P , IXFH70N20Q3 , IXFH74N20 , IXFH74N20P , IXFH7N90Q , IXFH80N08 , IXFH80N085 , IRLB4132 , IXFH80N15Q , IXFH86N30T , IXFH88N20Q , IXFH88N30P , IXFH96N15P , IXFH96N20P , IXFH9N80Q , IXFK102N30P .

History: OSG60R069HF | TSJ10N10AT | AM7933P | SVGP104R5NS | FDS9435A-NL | BUK9628-55A

 

 
Back to Top

 


 
.