Справочник MOSFET. IXFK250N10P

 

IXFK250N10P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFK250N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1250 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 250 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 205 nC
   Время нарастания (tr): 200 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXFK250N10P

 

 

IXFK250N10P Datasheet (PDF)

 8.1. Size:162K  ixys
ixfk25n80 ixfk27n80 ixfn25n80 ixfn27n80.pdf

IXFK250N10P
IXFK250N10P

Not for New DesignsVDSS ID25 RDS(on)IXFK 27N80 800 V 27 A 0.30 HiPerFETTM Power MOSFETs IXFK 25N80 800 V 25 A 0.35 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrIXFN 27N80 800 V 27 A 0.30 IXFN 25N80 800 V 25 A 0.35 TO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum Ratings

 8.2. Size:251K  ixys
ixfk26n90 ixfx26n90 ixfk25n90 ixfx25n90.pdf

IXFK250N10P
IXFK250N10P

www.DataSheet4U.comVDSS IDSS RDS(on) trrHiPerFETTM Power MOSFETsIXFK/IXFX 26N90 900 V 26 A 0.30 W 250 nsIXFK/IXFX 25N90 900 V 25 A 0.33 W 250 nsSingle MOSFET DiePreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 V (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID2

 8.3. Size:151K  ixys
ixfk27n80 ixfn27n80 ixfk25n80 ixfn25n80.pdf

IXFK250N10P
IXFK250N10P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsN-Channel Enhancement ModeIXFK 27N80 800 V 27 A 0.30 WAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrIXFK 25N80 800 V 25 A 0.35 WIXFN 27N80 800 V 27 A 0.30 WIXFN 25N80 800 V 25 A 0.35 WSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 800 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 800 VVGS Continuo

Другие MOSFET... IXFK220N15P , IXFK220N17T2 , IXFK230N20T , IXFK240N15T2 , IXFK24N100 , IXFK24N100F , IXFK24N80P , IXFK24N90Q , TK12A50D , IXFK25N90 , IXFK26N100P , IXFK26N120P , IXFK27N80Q , IXFK30N100Q2 , IXFK30N110P , IXFK320N17T2 , IXFK32N100P .

 

 
Back to Top