3N177. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N177

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 35 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm

Тип корпуса: TO72

Аналог (замена) для 3N177

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N177 даташит

 ..1. Size:137K  1
 3n175 3n176 3n177.pdf pdf_icon

3N177

Другие IGBT... 3N159, 3N163, 3N164, 3N169, 3N170, 3N171, 3N175, 3N176, AON7408, 3N187, 3N190, 3N191, 3N200, 3N201, 3N202, 3N203, 3N203A