IXFK44N50F - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFK44N50F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFK44N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXFK44N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK44N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  ixys
 ixfx44n50f ixfk44n50f.pdf pdf_icon

IXFK44N50F

HiPerRFTM VDSS = 500VIXFK44N50FID25 = 44APower MOSFETsIXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class: MegaHertz Switchingtrr 250nsSingle MOSFET DieTO-264 (IXFK)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrGDTabSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C

 5.1. Size:162K  ixys
 ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf pdf_icon

IXFK44N50F

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 5.2. Size:296K  ixys
 ixfh44n50p ixfk44n50p ixft44n50p.pdf pdf_icon

IXFK44N50F

IXFH 44N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFK 44N50P ID25 = 44 APower MOSFETIXFT 44N50P RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 500

 5.3. Size:108K  ixys
 ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf pdf_icon

IXFK44N50F

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFK32N80Q3 , IXFK360N10T , IXFK360N15T2 , IXFK36N60P , IXFK38N80Q2 , IXFK40N50Q2 , IXFK40N90P , IXFK420N10T , IRFP460 , IXFK44N50P , IXFK44N50Q , IXFK44N55Q , IXFK44N80P , IXFK44N80Q3 , IXFK48N55 , IXFK48N60P , IXFK48N60Q3 .

History: MDF2N60BTH | IRF1104L | IXFR180N10

 

 
Back to Top

 


 
.