Справочник MOSFET. IXFK44N50F

 

IXFK44N50F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFK44N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 156 nC
   Время нарастания (tr): 250 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXFK44N50F

 

 

IXFK44N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  ixys
ixfx44n50f ixfk44n50f.pdf

IXFK44N50F IXFK44N50F

HiPerRFTM VDSS = 500VIXFK44N50FID25 = 44APower MOSFETsIXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class: MegaHertz Switchingtrr 250nsSingle MOSFET DieTO-264 (IXFK)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrGDTabSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C

 5.1. Size:162K  ixys
ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf

IXFK44N50F IXFK44N50F

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 5.2. Size:296K  ixys
ixfh44n50p ixfk44n50p ixft44n50p.pdf

IXFK44N50F IXFK44N50F

IXFH 44N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFK 44N50P ID25 = 44 APower MOSFETIXFT 44N50P RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 500

 5.3. Size:108K  ixys
ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf

IXFK44N50F IXFK44N50F

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 5.4. Size:574K  ixys
ixfk48n50q ixfx48n50q ixfk44n50q ixfx44n50q.pdf

IXFK44N50F IXFK44N50F

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK/IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100 mPower MOSFETsIXFK/IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120 mQ-CLASS trr 250 ns Single MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low QgPLUS 247TM (IXFX)High dV/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: PHW9N60E

 

 
Back to Top