Справочник MOSFET. IXFK44N50P

 

IXFK44N50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK44N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 650 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 98 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXFK44N50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK44N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  ixys
 ixfh44n50p ixfk44n50p ixft44n50p.pdf pdf_icon

IXFK44N50P

IXFH 44N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFK 44N50P ID25 = 44 APower MOSFETIXFT 44N50P RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 500

 5.1. Size:162K  ixys
 ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf pdf_icon

IXFK44N50P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 5.2. Size:126K  ixys
 ixfx44n50f ixfk44n50f.pdf pdf_icon

IXFK44N50P

HiPerRFTM VDSS = 500VIXFK44N50FID25 = 44APower MOSFETsIXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class: MegaHertz Switchingtrr 250nsSingle MOSFET DieTO-264 (IXFK)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrGDTabSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C

 5.3. Size:108K  ixys
 ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf pdf_icon

IXFK44N50P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: H5N2512FL-M0

 

 
Back to Top

 


 
.