IXFK48N60Q3 - описание и поиск аналогов

 

IXFK48N60Q3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFK48N60Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXFK48N60Q3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK48N60Q3 технические параметры

 5.1. Size:223K  ixys
 ixfk48n60p ixfx48n60p.pdf pdf_icon

IXFK48N60Q3

IXFK 48N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 48N60P ID2 = 48 A Power MOSFET RDS(on) 135m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264 (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGSS Continuou

 7.1. Size:162K  ixys
 ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf pdf_icon

IXFK48N60Q3

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

 7.2. Size:108K  ixys
 ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf pdf_icon

IXFK48N60Q3

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

 7.3. Size:574K  ixys
 ixfk48n50q ixfx48n50q ixfk44n50q ixfx44n50q.pdf pdf_icon

IXFK48N60Q3

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK/IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100 m Power MOSFETs IXFK/IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120 m Q-CLASS trr 250 ns Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg PLUS 247TM (IXFX) High dV/dt, Low trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFK44N50F , IXFK44N50P , IXFK44N50Q , IXFK44N55Q , IXFK44N80P , IXFK44N80Q3 , IXFK48N55 , IXFK48N60P , AO3400 , IXFK520N075T2 , IXFK52N60Q2 , IXFK55N50F , IXFK60N55Q2 , IXFK62N25 , IXFK64N50P , IXFK64N50Q3 , IXFK64N60P .

 

 
Back to Top

 


 
.