IXFK60N55Q2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFK60N55Q2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 735 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 550 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 200 nC
Время нарастания (tr): 250 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.088 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXFK60N55Q2
IXFK60N55Q2 Datasheet (PDF)
ixfh60n25q ixfk60n25q ixft60n25q.pdf
Advanced Technical InformationIXFH 60N25QHiPerFETTMVDSS = 250 VIXFK 60N25QPower MOSFETs ID25 = 60 AIXFT 60N25QQ-Class RDS(on) = 47 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrLow Gate Charge and CapacitancesSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 250
ixfk64n60p ixfx64n60p.pdf
IXFK 64N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 64N60PID25 = 64 APower MOSFET RDS(on) 96 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGSS Contin
ixfk64n50p ixfx64n50p.pdf
IXFK 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 64N50P ID25 = 64 APower MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuo
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
